值此常熟理工学院2019年度“科技文化节”举办之际，为深入交流在光电和能源领域中的科研成果，提升学校相关领域教师的科研能力与视野，“光电与能源材料器件”论坛将于2019年11月9号在常熟理工学院举行。论坛邀请到13位来自国内知名高校、科研院所的专家莅临研讨，欢迎学校相关领域老师和同学前来交流学习。
会议时间：2019年11月9日，下午13:30
会议地点：东湖校区，知新楼三楼会议室
主办：常熟理工学院物理与电子工程学院
南京工业大学先进材料研究院
南京大学电子科学与工程学院
承办：常熟理工学院物理与电子工程学院
特邀报告1：Perovskite LEDs: High Efficiency and High Brightness
报告专家：王建浦，南京工业大学，教授，博导
报告摘要：Solution-processed light-emitting diodes (LEDs) are attractive for applications in low-cost, large-area lighting sources and displays. Organometal halide perovskites can be processed from solutions at low temperatures to form crystalline direct-bandgap seminiconductors with intriguing optoelectronic properties, such as high photolumescence yield, good charge mobility and excellent color purity. In this talk, I will present our effort to boost the efficiency of perovskite LEDs to a high level which is comparable to organic LEDs. More importantly, organic LEDs are difficult to maintain high efficiency at high current densities due to their excitonic nature and low charge mobilities. Low temperature solution-processed perovskite LEDs demonstrate remarkably high efficiency at high current densities, suggesting unique potential to achieve large size planar LEDs with high efficiency at high brightness.
特邀报告2：基于低维半导体的柔性敏感器件与系统
报告专家：沈国震，中科院半导体所，研究员，博导
报告摘要：柔性电子技术是将有机、无机材料电子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子技术，以其独特的柔性、延展性，在信息、能源、医疗、国防等领域具有广泛应用前景。特别是随着移动通信和可穿戴电子设备的发展，柔性可穿戴电子的研究应用已经逐步深入人们的生活并改变人们的生活和消费习惯。发展新型可贴附、可穿戴、便携式、可折叠等柔性传感器的研究备受国内外研究者广泛关注，并逐渐成为当前重要的前沿研究领域之一。低维半导体纳米材料由于其特异的物理和化学性能，具有优异的传感性能，在此次报告中，我们将简要介绍我们课题组近年来在基于低维半导体纳米材料的柔性传感器领域取得的部分研究成果，包括设计和研制柔性光电探测器和柔性压力传感器等。并在柔性传感器工作的基础上开展了系统的多功能传感-储能一体化集成系统的研究。
特邀报告3：二维材料荧光图案化与机理探索
报告专家：吕俊鹏，东南大学，教授，博导
报告摘要：作为后石墨烯时代的新型二维材料，过渡金属硫族化合物呈现半导体特性，并且其电子结构随层数可调，随着层数由多层减薄致单层，其能带结构由间隙带隙转变为直接带隙，因而可实现光致发光。大部分二维过渡金属硫化物的带隙大小位于可见光范畴，为其在显示、照明、可见光通信等领域的应用奠定了基础。本次报告将汇报二维过渡金属硫化物荧光图案化方面的研究进展，从边界态、缺陷空间分布、物理/化学吸附等方面探索了导致单层过渡金属硫化物荧光图案化的原因，并利用缺陷工程实现了荧光量子产率的提升。
特邀报告4：基于二维层状半导体的偏振光探测器
报告专家：魏钟鸣，中科院半导体所，教授，博导
报告摘要：近年来，二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。相比于零带隙的石墨烯，二维半导体材料如MoS2，WSe2等具有一定宽度的带隙，使其可以广泛应用于各种光电器件（包括存储器、探测器和晶体管等）。当前二维材料的实际应用还有很多问题亟需解决，这对我们而言，既是挑战，也是机遇。我们课题组针对二维半导体及光电器件进行了长期的探索，围绕材料的设计、制备和器件应用已经取得一些进展，部分材料在场效应晶体管和光探测器等方面显示出较好的性能。作为一种特殊的光电器件，偏振光探测器在光通信、成像等领域有非常重要的应用，这里我们主要针对新型二维半导体在偏振光探测方面的原型器件和工作机理进行汇报。我们发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe与GeAs等材料表现出优异的偏振光探测性能，并且探测波段从可见区覆盖到红外区，这两种材料都在808 nm的短波近红外区获得最优性能。
论坛议程详见附件
